—— PROUCTS LIST
- esd靜電放電發(fā)生器
- 試驗(yàn)箱設(shè)備
- 射頻傳導(dǎo)測(cè)試儀
- 深圳熒光光譜儀
- XRF熒光光譜儀
- 能量色散X熒光光譜儀
- PCT試驗(yàn)箱
- 高壓加速試驗(yàn)箱
- 高壓加速壽命試驗(yàn)箱
- 綜合波雷擊浪涌發(fā)生器
- 鄰苯測(cè)試儀
- 高效液相色譜儀
- 電磁兼容設(shè)備
- HAST試驗(yàn)箱
- 共模傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試系統(tǒng)
- 電快速脈沖群發(fā)生器
- 試驗(yàn)機(jī)設(shè)備
- 三坐標(biāo)測(cè)量?jī)x
- 二次元測(cè)量?jī)x
- 分光測(cè)色儀
- 氙燈耐氣候試驗(yàn)箱
- 頻率響應(yīng)分析儀
電波暗室(電磁兼容暗室)的構(gòu)造材料介紹
1.電波暗室的分類
為了減少反射而在其內(nèi)表面上裝有射頻吸波材料的屏蔽室,稱為電波暗室(Anechoic
1)按用途分類:天線圖測(cè)試室、雷達(dá)截面測(cè)試室、電磁兼容(EMC)測(cè)試室、電子戰(zhàn)(對(duì)抗)測(cè)試室。
2)按形狀分類:矩形電波暗室、錐型電波暗室。
3)按內(nèi)表面吸波材料的粘貼方式分類:半電波暗室、全電波暗室和改進(jìn)型半電波暗室。
4)按尺寸分類:超緊縮型預(yù)測(cè)式全波暗室、最小實(shí)用尺寸電波暗室、小型電波暗室、3米法電波暗室、5米法電波暗室、10米法電波暗室。
其中,電磁兼容測(cè)試室主要采用半電波暗室,其主要用于替代開闊場(chǎng)(OATS),并具有一些優(yōu)于OATS的長(zhǎng)處,如:不受天氣條件的限制和背景噪聲的影響等。它主要用于進(jìn)行電磁騷擾的測(cè)試。另外,一些輻射騷擾抗擾度的測(cè)試也可以在半電波暗室中進(jìn)行。
2.半電波暗室性能指標(biāo)及測(cè)試點(diǎn)
評(píng)價(jià)一個(gè)半電波暗室是否合格,通常有以下幾個(gè)重要指標(biāo):屏蔽效能、歸一化場(chǎng)地衰減(NSA)、場(chǎng)均勻性、場(chǎng)地駐波比測(cè)試和背景噪聲。其中,NSA測(cè)試是指采用認(rèn)可的方法在測(cè) 量場(chǎng)地測(cè)出的傳輸天線和接收天線之間的電磁波衰減,相對(duì)NSA,場(chǎng)地駐波比測(cè)試更為嚴(yán)格,評(píng)價(jià)半電波暗室性能的依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)、相關(guān)性能要求及測(cè)試點(diǎn)如下圖。
3.暗室主體建設(shè)注意事項(xiàng)
半電波暗室在結(jié)構(gòu)上由屏蔽室和吸波材料兩部分組成,鐵氧體和尖劈吸波材料覆蓋于頂部及四面墻,底部采用高架地板和反射地面,下面介紹一些建設(shè)中注意事項(xiàng),從而保證整個(gè)暗室的優(yōu)異性能。其中,暗室主體部分的一些性能要求,如下圖
暗室屏蔽層及主體鋼結(jié)構(gòu)與基建絕緣,可采用厚橡膠達(dá)到絕緣和防潮要求。屏蔽體未接地時(shí)應(yīng)與地隔離,對(duì)地電阻應(yīng)大于2MΩ;屏蔽殼體單點(diǎn)接地時(shí),接地電阻≤1Ω。在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面:
1)屏蔽室結(jié)構(gòu),采用拼裝式,比焊接式更易搬遷,而三明治式易熱脹冷縮,受潮變形,不適合北方氣候;
2)屏蔽體鋼結(jié)構(gòu)要保證穩(wěn)定,頂部應(yīng)設(shè)計(jì)合理,能承受足夠重量;
3)屏蔽室內(nèi)表面應(yīng)非常平整,滿足δ≤10mm ,便于用于安裝吸波材料,安裝完吸波體后屏蔽體的頂部和四周不發(fā)生明顯的變形。